MJD41CQ-13
Tootja Toote Number:

MJD41CQ-13

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

MJD41CQ-13-DG

Kirjeldus:

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.5 W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventuur:

2475 tk Uus Originaal Laos
12995548
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

MJD41CQ-13 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
6 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
100 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
1.5V @ 600mA, 6A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 300mA, 4V
Võimsus - Max
1.5 W
Sagedus - üleminek
3MHz
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tarnija seadme pakett
TO-252 (DPAK)
Põhitoote number
MJD41

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
MJD41CQ
Tehnilised lehed
MJD41CQ-13
HTML andmeleht
MJD41CQ-13-DG

Lisainfo

Muud nimed
31-MJD41CQ-13DKR
31-MJD41CQ-13TR
31-MJD41CQ-13CT
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
diodes

MJD42CQ-13

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252

nexperia

BC807-25-QVL

TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB

micro-commercial-components

BC807-40W-TP

Interface

nexperia

BC807-40-QVL

TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB