MJD31C-13
Tootja Toote Number:

MJD31C-13

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

MJD31C-13-DG

Kirjeldus:

TRANS NPN 100V 3A TO252
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventuur:

43846 tk Uus Originaal Laos
12887024
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

MJD31C-13 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
3 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
100 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
1.2V @ 375mA, 3A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
10 @ 3A, 4V
Võimsus - Max
1.56 W
Sagedus - üleminek
3MHz
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tarnija seadme pakett
TO-252 (DPAK)
Põhitoote number
MJD31

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
MJD31C
Tehnilised lehed
MJD31C-13
HTML andmeleht
MJD31C-13-DG

Lisainfo

Muud nimed
MJD31C-13DITR
MJD31C-13DICT
MJD31C13
MJD31C-13DIDKR
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
diodes

ZTX550STOB

TRANS PNP 45V 1A E-LINE

diodes

MMSTA64-7-F

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT323

diodes

ZXTN25012EZTA

TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3

diodes

ZTX696BSTZ

TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE