Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
EMF21-7
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
EMF21-7-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 280MHz 300mW Surface Mount SOT-563
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12887512
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
EMF21-7 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Transistori tüüp
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA, 500mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V, 12V
Takisti - alus (R1)
10kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
10kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
250MHz, 280MHz
Võimsus - Max
300mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-563, SOT-666
Tarnija seadme pakett
SOT-563
Põhitoote number
EMF21
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
EMF21
Tehnilised lehed
EMF21-7
HTML andmeleht
EMF21-7-DG
Lisainfo
Muud nimed
EMF21-7-DG
EMF21DIDKR
EMF21DITR
EMF217
EMF21DICT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DDC144EU-7-F
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
DDC144TH-7-F
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
DDC113TU-7-F
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
DDA144EK-7-F
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26