Tootja Toote Number:
DMTH6009LK3-13
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMTH6009LK3-13-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 3.2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Inventuur:
7168 tk Uus Originaal Laos
12883444
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMTH6009LK3-13 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
14.2A (Ta), 59A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±16V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.2W (Ta), 60W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252-3
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
DMTH6009
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
DMTH6009LK3-13DITR
DMTH6009LK3-13DIDKR
DMTH6009LK3-13DICT
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMPH4025SFVWQ-7
MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
DMN6040SK3-13
MOSFET N CH 60V 20A TO252
DMN4036LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R
