Tootja Toote Number:
DMT8008LFG-7
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMT8008LFG-7-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 48A (Tc) 1W (Ta), 23.5W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventuur:
1395 tk Uus Originaal Laos
12921793
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMT8008LFG-7 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
80 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 48A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1W (Ta), 23.5W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PowerDI3333-8
Pakett / ümbris
8-PowerVDFN
Põhitoote number
DMT8008
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
31-DMT8008LFG-7CT
31-DMT8008LFG-7TR
31-DMT8008LFG-7DKR
Standardpakett
2,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMT8008LFG-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
DMT8008LFG-13-DG
ÜHIKPRICE
0.48
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
SISS04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
MSJPF20N65-BP
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
