DMT6030LFDF-13

Tootja Toote Number:

DMT6030LFDF-13

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMT6030LFDF-13-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 6.8A (Ta) 860mW (Ta), 9.62W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12884068

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMT6030LFDF-13 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

6.8A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

25.5mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

9.1 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

639 pF @ 30 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

860mW (Ta), 9.62W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

U-DFN2020-6 (Type F)

Pakett / ümbris

6-UDFN Exposed Pad

Põhitoote number

DMT6030

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMT6030LFDF-13-DG

Lisainfo

Muud nimed

DMT6030LFDF-13DI

Standardpakett

10,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMNH6012SPS-13

MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8

diodes

DMN4025LSD-13

MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

diodes

DMP2066LDMQ-7

MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26

diodes

DMP4013LFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333