Tootja Toote Number:

DMT6018LDR-13

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMT6018LDR-13-DG

Kirjeldus:

MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN

Üksikasjalik kirjeldus:

Mosfet Array 60V 8.8A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8

Inventuur:

19970 tk Uus Originaal Laos

12884136

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMT6018LDR-13 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguratsiooni

2 N-Channel (Dual)

Funktsioon FET

-

Äravool allika pingesse (Vdss)

60V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

8.8A (Ta)

Rds sees (max) @ id, vgs

17mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

869pF @ 30V

Võimsus - Max

1.9W

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Pakett / ümbris

8-PowerVDFN

Tarnija seadme pakett

V-DFN3030-8

Põhitoote number

DMT6018

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMT6018LDR-13-DG

Lisainfo

Muud nimed

31-DMT6018LDR-13DKR

DMT6018LDR-13-DG

31-DMT6018LDR-13TR

31-DMT6018LDR-13CT

Standardpakett

10,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMN5L06VK-7-G

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

diodes

DMC2038LVT-7

MOSFET N/P-CH 20V TSOT26

diodes

DMTH6010LPDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

diodes

DMP2004DMK-7

MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT26