Tootja Toote Number:

DMT3009UDT-7

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMT3009UDT-7-DG

Kirjeldus:

MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN

Üksikasjalik kirjeldus:

Mosfet Array 30V 10.6A (Ta), 30A (Tc) 1.1W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type KS)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

13000611

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMT3009UDT-7 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguratsiooni

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funktsioon FET

-

Äravool allika pingesse (Vdss)

30V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

10.6A (Ta), 30A (Tc)

Rds sees (max) @ id, vgs

11.1mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

14.6nC @ 10V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

894pF @ 15V

Võimsus - Max

1.1W (Ta), 16W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Pakett / ümbris

8-VDFN Exposed Pad

Tarnija seadme pakett

V-DFN3030-8 (Type KS)

Põhitoote number

DMT3009

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed

31-DMT3009UDT-7TR

Standardpakett

1,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMN33D8LDWQ-13

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363

DMN3032LFDBWQ-13

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN

diodes

DMTH4008LPDW-13

MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50

diodes

DMG6302UDW-13

MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363