Tootja Toote Number:
DMT12H065LFDF-7
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMT12H065LFDF-7-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 115 V 4.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventuur:
3529 tk Uus Originaal Laos
13270132
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMT12H065LFDF-7 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
115 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
3V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
252 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakett / ümbris
6-UDFN Exposed Pad
Põhitoote number
DMT12
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
31-DMT12H065LFDF-7CT
31-DMT12H065LFDF-7TR
31-DMT12H065LFDF-7DKR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMTH6010LPSWQ-13
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
XP263N1001TR-G
MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
XP232N0301TR-G
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
