DMP213DUFA-7B

Tootja Toote Number:

DMP213DUFA-7B

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMP213DUFA-7B-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 25 V 145mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12895488

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMP213DUFA-7B Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Discontinued at Digi-Key

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

25 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

145mA (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

2.7V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

0.35 nC @ 4.5 V

VGS (max)

-8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

27.2 pF @ 10 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

360mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

X2-DFN0806-3

Pakett / ümbris

3-XFDFN

Põhitoote number

DMP213

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMP213DUFA-7B-DG

Lisainfo

Standardpakett

10,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CL C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

diodes

DMTH4008LFDFWQ-7

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

diodes

DMTH10H025LPS-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

diodes

DMTH6010SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060