Tootja Toote Number:

DMP1022UWS-7

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMP1022UWS-7-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 12 V 7.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12948787

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMP1022UWS-7 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

12 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

7.2A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

1.8V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

30 nC @ 5 V

VGS (max)

±8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2847 pF @ 4 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

900mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

V-DFN3020-8

Pakett / ümbris

8-VDFN

Põhitoote number

DMP1022

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMP1022UWS-7-DG

Lisainfo

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay-siliconix

IRFBE30STRL

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRF9530

MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

diodes

DMN4009LK3-13

MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3

diodes

BSN20Q-7

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23