Tootja Toote Number:
DMN66D0LDWQ-7
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMN66D0LDWQ-7-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 60V 115mA (Tc) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventuur:
13000670
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMN66D0LDWQ-7 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
60V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
115mA (Tc)
Rds sees (max) @ id, vgs
6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
0.9nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
29.3pF @ 25V
Võimsus - Max
400mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
SOT-363
Põhitoote number
DMN66
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
31-DMN66D0LDWQ-7TR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMTH4014LDVW-13
MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
MSCSM120AM31CTBL1NG
SIC 2N-CH 1200V 79A
DMP31D7LDWQ-7
MOSFET 2P-CH 30V 0.55A SOT363