DMN61D9U-13

Tootja Toote Number:

DMN61D9U-13

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMN61D9U-13-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12892052

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMN61D9U-13 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

380mA (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

1.8V, 5V

Rds sees (max) @ id, vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

0.4 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

28.5 pF @ 30 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

370mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-23-3

Pakett / ümbris

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Põhitoote number

DMN61

Lisainfo

Muud nimed

DMN61D9U-13DI

Standardpakett

10,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMN33D8LT-7

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

diodes

DMP2035UFDF-7

MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN

diodes

DMP3018SFK-7

MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM036N03PQ56 RLG

MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN