DMN4800LSS-13

Tootja Toote Number:

DMN4800LSS-13

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMN4800LSS-13-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventuur:

22578 tk Uus Originaal Laos

12882581

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMN4800LSS-13 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

9A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

9.47 nC @ 5 V

VGS (max)

±25V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

798 pF @ 10 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.46W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-SO

Pakett / ümbris

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Põhitoote number

DMN4800

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMN4800LSS-13-DG

Lisainfo

Muud nimed

DMN4800LSSDIDKR

DMN4800LSSDITR

DMN4800LSS13

DMN4800LSSDICT

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMTH3004LFG-13

MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333

diodes

DMP3085LSS-13

MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO

diodes

DMT10H009LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

diodes

DMP4010SK3-13

MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252