DMN3900UFA-7B

Tootja Toote Number:

DMN3900UFA-7B

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMN3900UFA-7B-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3

Inventuur:

10361 tk Uus Originaal Laos

12882806

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMN3900UFA-7B Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

550mA (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

1.8V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

760mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

42.2 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

390mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

X2-DFN0806-3

Pakett / ümbris

3-XFDFN

Põhitoote number

DMN3900

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMN3900UFA-7B-DG

Lisainfo

Muud nimed

DMN3900UFA7B

DMN3900UFA-7BDKR

DMN3900UFA-7BTR

DMN3900UFA-7BCT

Standardpakett

10,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

2N7002E-7-F

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3

diodes

DMN4800LSSQ-13

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO

diodes

DMNH10H028SPS-13

MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8

diodes

DMN601WK-7

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323