DMN30H4D1S-7

Tootja Toote Number:

DMN30H4D1S-7

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMN30H4D1S-7-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 300 V 430mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12883121

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMN30H4D1S-7 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

300 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

430mA (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

4Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

4.8 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

174 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

360mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-23-3

Pakett / ümbris

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Põhitoote number

DMN30

Lisainfo

Muud nimed

DMN30H4D1S-7DI

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

DMN30H4D0L-7

TOOTJA

Diodes Incorporated

KOGUS SAADAVAL

20142

DiGi OSANUMBER

DMN30H4D0L-7-DG

ÜHIKPRICE

0.15

ASENDAMISE TüÜP

MFR Recommended

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

2N7002E-7-G

MOSFET N-CH 60V SOT23

diodes

2N7002T-7-G

MOSFET N-CH 60V SOT523

diodes

DMG2301U-7

MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3

diodes

2N7002T-7

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523