DMN3035LWN-7

Tootja Toote Number:

DMN3035LWN-7

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMN3035LWN-7-DG

Kirjeldus:

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Üksikasjalik kirjeldus:

Mosfet Array 30V 5.5A 770mW Surface Mount V-DFN3020-8 (Type N)

Inventuur:

2790 tk Uus Originaal Laos

12883577

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMN3035LWN-7 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguratsiooni

2 N-Channel (Dual)

Funktsioon FET

-

Äravool allika pingesse (Vdss)

30V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

5.5A

Rds sees (max) @ id, vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

9.9nC @ 10V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

399pF @ 15V

Võimsus - Max

770mW

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Pakett / ümbris

8-PowerVDFN

Tarnija seadme pakett

V-DFN3020-8 (Type N)

Põhitoote number

DMN3035

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMN3035LWN-7-DG

Lisainfo

Muud nimed

DMN3035LWN-7DITR

DMN3035LWN-7DICT

DMN3035LWN-7DIDKR

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMN12M7UCA10-7

MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10

diodes

DMN3061SVT-7

MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT23-6

diodes

DMP3056LSDQ-13

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO

diodes

DMN3022LFG-7

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333