Tootja Toote Number:
DMN3016LFDE-7
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMN3016LFDE-7-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventuur:
27621 tk Uus Originaal Laos
12890329
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMN3016LFDE-7 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25.1 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1415 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
730mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
U-DFN2020-6 (Type E)
Pakett / ümbris
6-PowerUDFN
Põhitoote number
DMN3016
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
DMN3016LFDE-7DIDKR
DMN3016LFDE-7DITR
-DMN3016LFDE-7DIDKR
DMN3016LFDE-7DI
DMN3016LFDE-7DICT
-DMN3016LFDE-7DICT
DMN3016LFDE-7DI-DG
-DMN3016LFDE-7DITR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
TK58A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
