DMN10H220LQ-7

Tootja Toote Number:

DMN10H220LQ-7

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMN10H220LQ-7-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventuur:

53440 tk Uus Originaal Laos

12884270

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMN10H220LQ-7 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

1.6A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

VGS (max)

±16V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

401 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.3W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-23-3

Pakett / ümbris

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Põhitoote number

DMN10

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

DMN10H220LQ-7-DG

Lisainfo

Muud nimed

DMN10H220LQ-7-DG

31-DMN10H220LQ-7TR

31-DMN10H220LQ-7CT

31-DMN10H220LQ-7DKR

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMS3016SSS-13

MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO

diodes

DMN2027LK3-13

MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3

diodes

DMTH10H030LK3-13

MOSFET N-CH 100V 28A TO252

diodes

DMP6023LEQ-13

MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R