Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
DMN100-7-F
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMN100-7-F-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12889081
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMN100-7-F Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.1A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SC-59-3
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
DMN100
Lisainfo
Muud nimed
DMN100-FDICT
DMN100-FDITR
DMN100-FDIDKR
DMN1007F
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRLML2803TRPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
57343
DiGi OSANUMBER
IRLML2803TRPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.08
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
RSR025N03TL
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
2519
DiGi OSANUMBER
RSR025N03TL-DG
ÜHIKPRICE
0.19
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SSM3J108TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
TK19A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
SSM3K335R,LF
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
TK6A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS