DMG7N65SCT
Tootja Toote Number:

DMG7N65SCT

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMG7N65SCT-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12883977
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

DMG7N65SCT Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
-
Seeria
Automotive, AEC-Q101
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7.7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
886 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
125W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB (Type TH)
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
DMG7N65

Lisainfo

Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
REACH-i staatus
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
IXFP7N80PM
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXFP7N80PM-DG
ÜHIKPRICE
4.60
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
IXFP7N80P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
299
DiGi OSANUMBER
IXFP7N80P-DG
ÜHIKPRICE
2.31
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
diodes

DMN7022LFGQ-13

MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

diodes

DMN4008LFG-13

MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333

diodes

DMN3071LFR4-7R

MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN

diodes

DMN2500UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN