Tootja Toote Number:
DMG3415UQ-7
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMG3415UQ-7-DG
Kirjeldus:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventuur:
3166 tk Uus Originaal Laos
12978811
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMG3415UQ-7 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
1.8V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
294 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
900mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-23-3
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
DMG3415
Lisainfo
Muud nimed
31-DMG3415UQ-7CT
31-DMG3415UQ-7DKR
31-DMG3415UQ-7TR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMTH84M1SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMP1008UCB9-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
DMW2013UFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
