Tootja Toote Number:
DMG302PU-13
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMG302PU-13-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 25 V 170mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventuur:
12888576
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMG302PU-13 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
25 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
170mA (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.7V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
VGS (max)
-8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
27.2 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
320mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-23-3
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
DMG302
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
31-DMG302PU-13CT
DMG302PU-13DITR-DG
DMG302PU-13DICT
31-DMG302PU-13DKR
31-DMG302PU-13TR
DMG302PU-13DITR
DMG302PU-13DICT-DG
DMG302PU-13DIDKR
DMG302PU-13DIDKR-DG
Standardpakett
10,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMG302PU-7
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
19409
DiGi OSANUMBER
DMG302PU-7-DG
ÜHIKPRICE
0.09
ASENDAMISE TüÜP
Direct
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMT8008LPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
DMN2009LSS-13
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
DMN2005UFGQ-13
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
