BS107P

Tootja Toote Number:

BS107P

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

BS107P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92

Inventuur:

1875 tk Uus Originaal Laos

12902970

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

BS107P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Bulk

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

120mA (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

2.6V, 5V

Rds sees (max) @ id, vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

VGS (max)

±20V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

500mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-92

Pakett / ümbris

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Põhitoote number

BS107

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

BS107P-NDR

BS107

Standardpakett

4,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFN44N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B

diodes

ZXMP2120G4TA

MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223

diodes

DMG1013UWQ-13

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

diodes

ZXMN2A01FTA

MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3